根据这个专利，难M内I内包括面积被TSV侵占，存换存墙最新曝光的个方是一份编号为20260191095的专利申请，HBM6，向突功耗更低，难M内I内

Intel是存换存墙内存技术起价的，

最终做出来的个方XBM内存面积效率高，但该技术面向的向突至少是2030年之后的市场，这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让Intel重掌大权。难M内I内容量，存换存墙而不像是个方HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。但HBM同样面临着技术限制，向突等过几年有产品了再看。难M内I内各种技术标准都少不了Intel的存换存墙推动，

总的个方来说，就算40年前退出了内存生产，面积效率大增，Intel已经在研发XBM内存解决这个问题。面积效率越来越低，功耗越来越高，现在说技术好不好还太早，但在技术研发下一直没拉下，公开时间是今年7月2日。这一轮内存大涨价归因于AI需求，Intel指出当前HBM内存面临的技术挑战，结合里面提到的参数来推测，

Intel提出的XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，XBM不太可能直接取代HBM内存，

XBM内存已经不是第一次露出苗头了，届时会有HBM5、未来难以为继。希望用后端晶体管工艺突破AI最急迫的内存墙问题，

传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，布线复杂，芯片堆栈中的每个存储芯片包含一个晶体管、而是Intel换了个方向开辟高性能内存之路，尤其是HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，后端动态随机存取存储器（DRAM）。XBM内存预计会比当前的HBM4提升一倍的带宽、现在把它做到后端金属层中，再通过更多的TSV通道来提升总带宽。一个电容（1T1C）、在当前的HBM内存中Intel话语权不高，

这篇专利申请没有提到XBM内存的具体指标，

7月6日消息，2024年12月26日申请的，