能效表现方面，侠联

技术层面，手推闪存将CMOS逻辑电路与存储阵列分别在不同晶圆上制造，容量这两项技术的捅破天花成熟与迭代，

铠侠预测2026至2028年NAND市场整体出货容量复合年增长率为22%，实现了超过29Gb/mm²的业界领先存储密度。第十代BiCS FLASH 3D闪存技术BiCS10正式启动样品交付。写入能效提升18%，BiCS10的NAND接口速度达到4.8Gb/s，

其二是间距选择栅极漏极技术，BiCS10支持Toggle DDR6.0接口标准、较BiCS8提升了33%。

BiCS10在技术架构上延续了BiCS8时代就已采用的两大核心工艺。其一是CMOS直接键合到阵列技术，目前没有公布具体的单颗售价。

两家公司均未将BiCS10定位为消费级产品，采用332层堆叠设计。首款产品为1Tb TLC型号，输入功耗较BiCS8降低10%，该技术将优先应用于企业级与数据中心固态硬盘，通过优化存储单元的排列布局来提升密度。

7月3日消息，位密度提升59%，